Infineon виготовила силові чипи на 300-мм пластинах SiC
У цьому матеріалі
SiC на 300-мм пластинах стала предметом технологічної демонстрації Infineon у Філлаху 9 листопада 2026 року. Компанія повідомила про працездатні силові компоненти, але не оголосила про початок масового виробництва.
SiC на пластинах 300 мм
За повідомленням виробника, інженери використали наявне обладнання, призначене для обробки кремнієвих пластин, щоб виготовити функціональні силові елементи на основі карбіду кремнію. Важлива відмінність полягає в тому, що працездатність компонентів продемонстровано на виробничому майданчику, а не лише в лабораторії. Це ще не означає, що всі технологічні етапи готові до великосерійного виробництва з потрібною собівартістю та виходом придатних кристалів.
Компанія планує показати оброблену 300-мм пластину на виставці electronica у Мюнхені, що триватиме 10–13 листопада. Окремо Infineon повідомила про перевірку методу Cold Split у Дрездені: він має відділяти пластини від кристала SiC із меншими втратами матеріалу та швидше за традиційне дротове різання. Це два різні технологічні результати, які не слід плутати з уже запущеною комерційною лінією.
Чому 300 мм важливі для силової електроніки
Збільшення діаметра з 200 до 300 мм означає більшу робочу площу. Infineon оцінює потенціал приблизно у 2,3 раза більше чипів з однієї пластини порівняно з 200-мм форматом. Фактична економіка залежатиме також від дефектності матеріалу, виходу придатних кристалів, тривалості процесу та витрат на обладнання. Тому саме по собі співвідношення площ не є обіцянкою настільки ж нижчої ціни готового компонента.
Карбід кремнію використовують там, де важливі високі напруги, температура й ефективне перетворення електроенергії. Це тягові інвертори електромобілів, бортові зарядні пристрої, промислові перетворювачі, системи накопичення енергії та живлення центрів обробки даних. Менші втрати під час перетворення енергії можуть скоротити потребу в охолодженні, але ефект залежить від конкретної системи.
Що це означає для автомобілів і датацентрів
Попит на силові компоненти зростає не лише через електромобілі. У датацентрах для штучного інтелекту важливі стабільне живлення й висока ефективність перетворювачів. Infineon називає серед можливих напрямів застосування твердотільні трансформатори, блоки живлення та автоматичні вимикачі. Це сфери потенційного використання технології, а не перелік підтверджених замовлень на нові 300-мм чипи.
Європейський контекст теж важливий. Розвиток виробничих процесів доповнює інвестиції в інфраструктуру розробки мікросхем. Раніше ми розповідали про європейську платформу проєктування чипів на €525 млн та про ринок матеріалів для напівпровідників на прикладі Qnity. Проте проєктування мікросхем і освоєння нового формату SiC-пластин — різні ланки виробничого ланцюга.
Коли розпочнеться масовий випуск
Точної дати Infineon не повідомила. Виробник планує погоджувати подальше масштабування з клієнтами й партнерами, водночас продовжуючи розвиток 200-мм SiC-процесу. Компанія також нагадала, що 27 жовтня анонсувала інвестиції приблизно €1,1 млрд у 300-мм виробництво силових компонентів на основі нітриду галію у Філлаху. Це окремий матеріал і окрема виробнича програма, тому не варто трактувати суму як бюджет нинішнього SiC-проєкту.
Першоджерело — офіційний пресреліз Infineon від 9 листопада 2026 року. Наведені технічні оцінки є заявами виробника; незалежних вимірювань економічної ефективності нової технології поки не представлено.
